光刻版图的形成方法

摘要

本发明提供了一种光刻版图的形成方法，包括：提供待形成光刻版图的光刻版，所述光刻版具有多个单元区、环绕每个单元区的保护区和隔离相邻保护区的切割道；若保护区尺寸≤(第一尺寸-切割道尺寸)/2时，在单元区形成第一尺寸对准图形和第二尺寸对准图形；若(第一尺寸-切割道尺寸)/2＜保护区尺寸≤(第二尺寸-切割道尺寸)/2时，在保护区和与保护区相邻的切割道内形成第一尺寸对准图形，在单元区形成第二尺寸对准图形；若保护区尺寸＞(第二尺寸-切割道尺寸)/2时，在保护区和与保护区相邻的切割道形成第一尺寸对准图形和第二尺寸对准图形。本发明实施例的方法，节约了单元区的数量，提高了芯片的成品数量。

主权项

一种光刻版图的形成方法，其特征在于，包括：提供待形成半导体器件图形；提供第一尺寸对准图形和第二尺寸对准图形，且第二尺寸大于第一尺寸；提供待形成光刻版图的光刻版，所述光刻版具有多个单元区、环绕每个单元区的保护区和隔离相邻保护区的切割道，所述单元区用于形成多个半导体器件图形；根据半导体器件图形获取所述保护区尺寸；若保护区尺寸≤(第一尺寸‑切割道尺寸)/2时，在单元区形成第一尺寸对准图形和第二尺寸对准图形；若(第一尺寸‑切割道尺寸)/2＜保护区尺寸≤(第二尺寸‑切割道尺寸)/2时，在保护区和与保护区相邻的切割道内形成第一尺寸对准图形，所述第一尺寸对准图形覆盖切割道且部分位于保护区，在单元区形成第二尺寸对准图形；若保护区尺寸＞(第二尺寸‑切割道尺寸)/2时，在保护区和与保护区相邻的切割道形成第一尺寸对准图形和第二尺寸对准图形，且第一尺寸对准图形和第二尺寸对准图形覆盖切割道且部分位于保护区；在未形成有第一尺寸对准图形和/或第二尺寸对准图形的单元区内形成半导体器件图形。