一种新的硅化物和金属前介质集成工艺及该形成的结构

摘要

本发明提供一种新的硅化物和金属前介质集成工艺，包括：在半导体基板上形成栅极侧墙；对栅极两侧的半导体基板进行N+/P+离子注入形成源区和漏区；剥离暴露在半导体基板上的氧化层，在半导体基板、栅极及栅极侧墙上覆盖第一高应力氮化硅薄膜层，采用除去源漏区的第一高应力氮化硅薄膜层；提高半导体基板上源漏区位置，提高的同时在源漏区掺杂硼，并对半导体的上表面进行平整化处理；对半导体基板上硅进行生成金属硅化物处理，处理完成后在半导体上表面先后沉积第二高压力氮化硅薄膜层和第二氧化物层；在第二高压力氮化硅薄膜层和第二氧化物层上开口，开口内暴露出金属硅化物和栅极侧墙，在所述开口内形成钨栓。

主权项

一种新的硅化物和金属前介质集成工艺，其特征在于，包括以下顺序步骤：步骤1：在半导体基板及半导体基板栅极上先后沉积一层氧化物层和第一氮化硅层；对第一氮化硅层进行干法刻蚀，在栅极外形成侧墙；对栅极两侧的半导体基板进行N+/P+离子注入形成源区和漏区；步骤2：剥离暴露在半导体基板上的氧化层，在半导体基板、栅极及栅极侧墙上覆盖第一高应力氮化硅薄膜层，采用光刻和刻蚀除去源漏区的第一高应力氮化硅薄膜层；步骤3：提高半导体基板上源漏区位置，提高的同时在源漏区掺杂硼，并对半导体的上表面进行平整化处理；步骤4：对半导体基板上硅进行生成金属硅化物处理，处理完成后在半导体上表面先后沉积第二高压力氮化硅薄膜层和第二氧化物层；步骤5：对第二高压力氮化硅薄膜层和第二氧化物层进行光刻和刻蚀形成开口，所述开口内暴露出金属硅化物和栅极侧墙，在所述开口内形成钨栓。