带有支承衬底的发射辐射的半导体本体及其制造方法

摘要

本发明涉及一种带有支承衬底的发射辐射的半导体本体及其制造方法。在该方法中，建立半导体层序列(2)与支承衬底晶片(1)的结构化的连接。半导体层序列借助穿过半导体层序列的切口(6)划分为多个半导体层堆叠(200)，而支承衬底晶片(1)借助穿过支承衬底晶片(1)的切口(7)划分为多个支承衬底(100)。在此，结构化的连接实施为使得至少一个半导体层堆叠(200)与恰好一个关联的支承衬底(100)相连。此外，至少一个穿过支承衬底晶片的切口(7)未被穿过半导体层序列的切口(6)延长为使得得到穿过支承衬底晶片和半导体层序列的直线的切口。

主权项

一种用于制造多个带有支承衬底的发射辐射的半导体本体的方法，包括以下步骤：‑提供支承衬底晶片(1)；‑制造适于产生电磁辐射的半导体层序列(2)；‑建立半导体层序列与支承衬底晶片的结构化连接；‑借助穿过半导体层序列(2)的切口(6)将半导体层序列(2)划分为多个半导体层堆叠(200)；‑借助穿过支承衬底晶片(1)的切口(7)将支承衬底晶片(1)划分为多个支承衬底(100)；以及‑将带有关联的支承衬底(100)的半导体层堆叠(200)分割为单个的半导体本体(10)，其中‑结构化的连接实施为使得至少一个半导体层堆叠(200)与恰好一个关联的支承衬底(100)相连；以及‑至少一个穿过支承衬底晶片的切口未被穿过半导体层序列的切口延长为使得产生穿过支承衬底晶片和半导体层序列的直线切口。