| 发明名称 | 等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置。该等离子体氧化处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，在处理气体中的氧的比例在20％以上、且处理压力在400Pa以上1333Pa以下的条件下形成等离子体，利用上述等离子体，对露出在被处理体的表面的硅进行氧化而形成硅氧化膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101523574B | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
| 申请号 | CN200780036177.5 | 申请日期 | 2007.09.27 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 小林岳志;北川淳一;壁义郎;盐泽俊彦 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种等离子体氧化处理方法，其特征在于，包括：将表面由硅构成且在表面上具有凹凸形状的图案的被处理体搬入等离子体处理装置的处理室内的步骤；向所述处理室内供给Ar气体、氧气和氢气的处理气体的步骤；以使得所述处理气体中的氧的比例在20％以上的方式供给所述氧气、且在处理压力在400Pa以上1333Pa以下的条件下形成所述处理气体的等离子体的步骤；和利用所述等离子体，对所述凹凸形状的表面的硅进行氧化而形成硅氧化膜的步骤，其中，所述等离子体，在所述处理气体中的氧的比例在20％以上、氢的比例为0.1～10％、且处理压力在400Pa以上1333Pa以下的条件下，在所述处理室内被形成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||