发明名称 |
FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器 |
摘要 |
本发明公开了一种FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器,该激光器具有深刻蚀孔的光子晶体结构,该光子晶体结构具有带边面发射性质,且位于FP脊形条上,FP脊形条宽度较宽,FP腔长度较长,P电极完全位于脊形条上,根据光子晶体的对称性,可以扩展FP腔的结构。利用本发明,能够实现低成本的电注入光子晶体带边面发射激光器,且本结构可以用于集成光路中特征信号的读出器,通过对FP腔结构的扩展,可以实现多通道耦合增强。 |
申请公布号 |
CN102201648B |
申请公布日期 |
2012.05.02 |
申请号 |
CN201110093303.9 |
申请日期 |
2011.04.14 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
郑婉华;周文君;陈微;刘安金;王海玲 |
分类号 |
H01S5/18(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/18(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器,其特征在于,该激光器包括:深刻蚀孔(1)、光子晶体区域(2)、脊形条(3)、两个相互平行的自然解理镜面(4)、P电极(5)、有源晶片结构和N电极(11),其中,有源晶片结构由上到下依次包括高掺杂层(6)、上波导层(7)、有源层(8)、下波导层(9)和衬底层(10),P电极(5)形成于高掺杂层(6)之上,脊形条(3)形成于上波导层(7)的上部,脊形条(3)的上表面与高掺杂层(6)的下表面接触,且P电极(5)、高掺杂层(6)和脊形条(3)完全对准;光子晶体区域(2)形成于高掺杂层(6)上,位于P电极(5)中间,光子晶体区域(2)中具有多个深刻蚀孔(1),其深度从有源晶片结构的表面一直贯穿有源层(8)至下波导层(9);N电极(11)形成于衬底层(10)的背面;两个相互平行的自然解理镜面(4)是利用自然解理工艺在垂直于脊形条(3)的方向上形成的,其构成FP腔。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |