发明名称 |
MTJ三轴磁场传感器 |
摘要 |
本实用新型公开了一种MTJ三轴磁场传感器,敏感方向为X轴的X轴桥式磁场传感器、敏感方向为Y轴的Y轴桥式磁场传感器、敏感方向为Z轴的Z轴磁场传感器、与所述X轴桥式磁场传感器、所述Y轴桥式磁场传感器和所述Z轴磁场传感器相连接且适配的ASIC芯片,所述Z轴磁场传感器包括基片和制备在该基片上的MTJ元件,所述Z轴磁场传感器贴覆在ASIC芯片上形成一贴覆边,所述Z轴磁场传感器上与贴覆边相邻的侧边与该贴覆边形成一夹角,该夹角为锐角或钝角,其中X轴、Y轴和Z轴两两正交。本实用新型采用以上结构,集成度高,灵敏度更高,功耗更低,线性更好,动态范围更宽,温度特性更好,抗干扰能力更强。 |
申请公布号 |
CN202210145U |
申请公布日期 |
2012.05.02 |
申请号 |
CN201120320031.7 |
申请日期 |
2011.08.30 |
申请人 |
江苏多维科技有限公司 |
发明人 |
雷啸锋;张小军;黎伟;王建国;薛松生 |
分类号 |
G01R33/09(2006.01)I |
主分类号 |
G01R33/09(2006.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
孙仿卫;李艳 |
主权项 |
一种MTJ三轴磁场传感器,其特征在于:敏感方向为X轴的X轴桥式磁场传感器、敏感方向为Y轴的Y轴桥式磁场传感器、敏感方向为Z轴的Z轴磁场传感器、与所述X轴桥式磁场传感器、所述Y轴桥式磁场传感器和所述Z轴磁场传感器相连接且适配的ASIC芯片,所述Z轴磁场传感器包括连接的磁传感芯片,所述磁传感芯片包括基片和制备在该基片上的MTJ元件,所述磁传感芯片贴覆在ASIC芯片上形成一贴覆边,所述磁传感芯片上与贴覆边相邻的侧边与该贴覆边形成一夹角,该夹角为锐角或钝角,其中X轴、Y轴和Z轴两两正交。 |
地址 |
215600 江苏省苏州市张家港市保税区广东路8号 |