发明名称 | 一种提高太赫兹波产生效率和透射率的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种提高太赫兹波产生效率和透射率的方法,获取倾斜角;根据倾斜角和光栅色散方程获取倾斜量的函数表达式;根据里特罗入射条件、光栅方程和倾斜量的函数表达式获取铌酸锂晶体的前表面光栅刻线密度;通过模态法对光栅建模,根据光栅负一级衍射效率与光栅的填充系数、刻槽深度的关系,获取刻槽宽度和刻槽深度;根据前表面光栅刻线密度、刻槽宽度和刻槽深度,在加工容差范围内,通过微纳加工方法在铌酸锂晶体的入射面刻有光栅结构,光栅刻线平行于铌酸锂晶体的光轴;通过微纳加工在铌酸锂晶体的出射界面增加微直角棱锥结构;抽运激光器在铌酸锂晶体前表面以特定的入射角发射抽运光,在出射界面产生太赫兹波。本发明简化了元件,缩短了光路。 | ||
申请公布号 | CN102436115A | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
申请号 | CN201110438772.X | 申请日期 | 2011.12.23 |
申请人 | 天津大学 | 发明人 | 栗岩锋;胡晓堃;刘丰;李江;邢岐荣 |
分类号 | G02F1/35(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/35(2006.01)I |
代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 温国林 |
主权项 | 一种提高太赫兹波产生效率和透射率的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(1)通过入射抽运光在铌酸锂晶体中的光波长、群折射率和太赫兹波折射率获取倾斜角;(2)根据所述倾斜角和光栅色散方程获取倾斜量的函数表达式;(3)根据里特罗入射条件、光栅方程和所述倾斜量的函数表达式获取铌酸锂晶体的前表面光栅刻线密度;(4)通过模态法对光栅建模,根据光栅负一级衍射效率与光栅的填充系数、刻槽深度的关系,获取刻槽宽度和刻槽深度;(5)根据所述前表面光栅刻线密度、所述刻槽宽度和所述刻槽深度,在加工容差范围内,通过微纳加工方法在铌酸锂晶体的入射面刻有光栅结构,光栅刻线平行于铌酸锂晶体的光轴;(6)通过微纳加工方法在铌酸锂晶体的出射界面增加微直角棱锥结构;(7)抽运激光器在所述铌酸锂晶体前表面以特定的入射角发射抽运光,偏振片调节抽运光偏振平行于铌酸锂晶体的光轴,在出射界面产生太赫兹波。 | ||
地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 |