| 发明名称 | 三维层叠的非易失性存储部件 | ||
| 摘要 | 存储部件包括：跨越存储部件的第一层中的第一晶体管区的第一晶体管；跨越存储部件的第二层中的第二晶体管区的第二晶体管；跨越存储部件的第三层中的第一存储器区的第一电阻感测存储(RSM)单元；以及跨越存储部件的第三层中的第二存储器区的第二RSM单元，其中第一晶体管电耦合到第一RSM单元、并且第二晶体管电耦合到第二RSM单元，其中第二层位于第一层和第三层之间，其中第一和第二晶体管具有晶体管重叠区，并且其中第一存储器区和第二存储器区未延伸超出第一晶体管区和第二晶体管区。 | ||
| 申请公布号 | CN102439723A | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
| 申请号 | CN201080023587.8 | 申请日期 | 2010.04.09 |
| 申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | X·王;Y·陆;H·李;H·刘 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 钱孟清 |
| 主权项 | 一种存储部件，包括：跨越所述存储部件的第一层中的第一晶体管区的第一晶体管；跨越所述存储部件的第二层中的第二晶体管区的第二晶体管；跨越所述存储部件的第三层中的第一存储器区的第一RSM单元；以及跨越所述存储部件的第三层中的第二存储器区的第二RSM单元，其中所述第一晶体管电耦合到所述第一RSM单元，而所述第二晶体管电耦合到所述第二RSM单元，其中所述第二层位于所述第一层和第三层之间，其中所述第一和第二晶体管具有晶体管重叠区，并且其中所述第一存储器区和第二存储器区未延伸超出所述第一晶体管区和第二晶体管区。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||