一种紫外线掩模板干法清洗设备

摘要

本发明紫外线掩模板干法清洗设备解决了现有技术中使用光掩模板对硅片进行光刻会产生雾状缺陷，导致产品合格率低，而采用湿法清洗会增加大量成本及延长时间周期的问题，使用紫外光配合反应气体对掩模板进行干法刻蚀，有效去除掩模板表面的有机残留和雾状缺陷，且无需将掩模板表面的保护膜移除，一次即可完成清洗。

主权项

一种紫外线掩模板干法清洗设备，其特征在于，包括：一主体设备上开设有一掩模板入口和一掩模板出口；一紫外线清洗模腔设置在所述主体设备内；一反应气体混合装置的混合气体出口与所述紫外线清洗模腔相连通，用以产生混合气体并将其导入所述紫外线清洗模腔；所述紫外线清洗模腔内设置有一扫描定位装置，用以对掩模板进行扫描并确定缺陷的位置；所述紫外线清洗模腔内还设置有一紫外线清洗装置，用以根据扫描定位装置所定位的掩模板缺陷发射紫外光激活混合气体对掩膜板进行清洗；一掩模板传送装置设置在所述主体设备内，用以将掩模板在所述主体设备内进行传输，所述掩模板传送装置的导轨穿过所述紫外线清洗模腔的下方，以使得所述掩模板传送装置运送的掩模板穿过所述紫外线清洗模腔。