| 发明名称 | 凸柱结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种凸柱结构的制造方法，凸柱结构包括底部的第一柱状结构和位于其上的其他柱状结构，制造方法包括步骤：提供硅衬底；在硅衬底上形成氧化层掩模，其大小、位置与凸柱结构相对应；在硅衬底上旋涂光刻胶并作图形化；以图形化的光刻胶为掩模，干法刻蚀硅衬底，在硅衬底中形成环状的第一深槽，第一深槽内部围绕有第一柱状结构；去除光刻胶并作清洗，露出氧化层掩模；以氧化层掩模为掩模，干法刻蚀硅衬底，在硅衬底中形成第二深槽，同时在第一柱状结构上形成较之更细的第二柱状结构。本发明能够方便在较粗的柱状结构上形成较细的柱状结构，在深槽刻蚀中，较好地控制了深度、形貌、均匀性、选择比和速率。 | ||
| 申请公布号 | CN102431965A | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
| 申请号 | CN201110422079.3 | 申请日期 | 2011.12.15 |
| 申请人 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 李凡;曹荐;林晶;徐元俊;张挺 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 一种凸柱结构(108)的制造方法，所述凸柱结构(108)包括底部的第一柱状结构(105)和位于其上的其他柱状结构，所述制造方法包括步骤：提供硅衬底(101)；在所述硅衬底(101)上形成氧化层掩模(102)，其大小、位置与所述凸柱结构(108)相对应；在所述硅衬底(101)上旋涂光刻胶(103)并作图形化；以图形化的所述光刻胶(103)为掩模，采用反应离子刻蚀法刻蚀所述硅衬底(101)，在所述硅衬底(101)中形成环状的第一深槽(104)，所述第一深槽(104)内部围绕有所述第一柱状结构(105)；去除所述光刻胶(103)并作清洗，露出所述氧化层掩模(102)；以所述氧化层掩模(102)为掩模，干法刻蚀所述硅衬底(101)，在所述硅衬底(101)中形成第二深槽(106)，同时在所述第一柱状结构(105)上形成较之更细的所述第二柱状结构(107)。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路385号 | ||