发明名称 |
一种金属硫化物类金刚石复合薄膜的制备方法 |
摘要 |
一种金属硫化物DLC复合薄膜的制备方法,特征是首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层,利用离子源产生的惰性气体离子束对基体表面进行离子束轰击清洗,然后在高工件负偏压下利用阴极电弧源产生的金属离子对基体表面进行金属离子轰击清洗,再利用阴极电弧沉积或离子束辅助磁控溅射制备梯度过渡层,在过渡层上利用离子束沉积+磁控溅射合成至少包含W、Mo、Fe中的一种金属元素掺杂DLC膜,离子束沉积通过向离子源中通入含碳气体实现,最后利用离子硫化获得高硫含量的金属硫化物/DLC复合薄膜,硫源采用含硫的气体。 |
申请公布号 |
CN101787521B |
申请公布日期 |
2012.05.02 |
申请号 |
CN201010132916.4 |
申请日期 |
2010.03.24 |
申请人 |
中国地质大学(北京) |
发明人 |
岳文;王成彪;付志强;彭志坚;于翔 |
分类号 |
C23C16/30(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/30(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种金属硫化物DLC复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述方法将离子束刻蚀、离子束辅助沉积、离子束沉积、磁控溅射、离子硫化结合起来,制备多种金属硫化物DLC复合薄膜,该方法依次包括以下步骤:(1)首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层;(2)利用离子源产生的惰性气体离子束对基体表面进行离子束刻蚀清洗;(3)在高工件负偏压下利用阴极电弧源产生的金属离子对基体表面进行金属离子刻蚀清洗;(4)利用离子束增强磁控溅射制备梯度过渡层;(5)在制备的梯度过渡层上利用离子束沉积+磁控溅射合成掺杂钨、钼或铁的DLC膜;(6)在制备的掺杂钨、钼或铁的DLC薄膜上利用离子硫化制备金属硫化物DLC复合膜。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路29号 |