发明名称 贴合晶圆之制造方法
摘要 若藉由本发明,则为一种贴合活性层用晶圆和支持层用晶圆之后,使活性层用晶圆予以薄膜化而所构成之晶圆之制造方法,于将氧离子注入至活性层用晶圆之时,在将该活性层用晶圆之温度保持于200℃以下之状态下,以剂量:5×1015~5×1016atoms/cm2之条件,注入氧离子,依此取得薄膜化后之膜厚均匀性优良,且显着提高表面粗糙度之贴合晶圆。
申请公布号 TWI363388 申请公布日期 2012.05.01
申请号 TW097132921 申请日期 2008.08.28
申请人 胜高股份有限公司 日本 发明人 西畑秀树;森本信之;草场辰己;远藤昭彦
分类号 H01L21/50;H01L21/265 主分类号 H01L21/50
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本