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发明名称
贴合晶圆之制造方法
摘要
若藉由本发明,则为一种贴合活性层用晶圆和支持层用晶圆之后,使活性层用晶圆予以薄膜化而所构成之晶圆之制造方法,于将氧离子注入至活性层用晶圆之时,在将该活性层用晶圆之温度保持于200℃以下之状态下,以剂量:5×1015~5×1016atoms/cm2之条件,注入氧离子,依此取得薄膜化后之膜厚均匀性优良,且显着提高表面粗糙度之贴合晶圆。
申请公布号
TWI363388
申请公布日期
2012.05.01
申请号
TW097132921
申请日期
2008.08.28
申请人
胜高股份有限公司 日本
发明人
西畑秀树;森本信之;草场辰己;远藤昭彦
分类号
H01L21/50;H01L21/265
主分类号
H01L21/50
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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