| 摘要 |
一耗尽模式(D模式)场效电晶体(FET)系在一多层结构之中与一增强模式(E模式)FET进行单石积体，而该多层结构系包括一通道层，覆盖于其上的一阻障层，以及再覆盖于其上的一欧姆接触层，其中，该D模式以及E模式FETs的源极以及汲极接触系耦接至该欧姆接触层，而该D模式以及E模式FETs的一闸极接触则是耦接至该阻障层，并且，一固态非晶化区域(amorphized region)系提供于该阻障层范围内之该E模式闸极接触的下方，因此，该非晶化区域系会与该阻障层形成一埋藏的E模式萧基(Schottky)接触，再者，一另一可选择之实施例则是将该D模式FET的该闸极接触耦接至覆盖该阻障层的一第一层，并且，会在该第一层之范围内提供一相似的D模式非晶化区域。 |
