| 摘要 |
本揭示内容涉及一种半导体记忆装置，其包含：鳍式半导体，该等半导体沿一第一方向延伸；源极层，其提供于该等鳍式半导体内；汲极层，其提供于该等鳍式半导体内；浮体，其提供于该等鳍式半导体内且于该等源极层与该等汲极层之间，该等浮体处于一电浮动状态且累积或排出载子以储存资料；第一闸电极，其提供于位于该等相互邻接之鳍式半导体之间之第一凹槽内；第二闸电极，其提供于邻接该等第一凹槽且位于该等相互邻接之鳍式半导体之间之第二凹槽内；位元线，其连接至该等汲极层且沿一第一方向延伸；字元线，其连接至该等第一闸电极且沿正交于该第一方向之一第二方向延伸；及源极线，其连接至该等源极层且沿该第二方向延伸。 |
