| 摘要 |
本发明揭示一种记忆体，其包含：一电荷截获膜；一闸极绝缘膜；一背面闸极，其在该电荷截获膜上；一正面闸极，其在该闸极绝缘膜上；以及一主体区域，其系提供于一汲极与一源极之间，其中该记忆体包括：一第一储存状态，其系用以储存取决于该主体区域中的多数载子数目之资料；以及一第二储存状态，其系用以储存取决于该电荷截获膜中的电荷数量之资料，而藉由将该主体区域中的多数载子数目转换成该电荷截获膜中的电荷数量来使得该记忆体从该第一储存状态偏移至该第二储存状态，或者藉由将该电荷截获膜中的电荷数量转换成该主体区域中的多数载子数目来使得该记忆体从该第二储存状态偏移至该第一储存状态。 |
