| 发明名称 |
清除原生氧化层的方法 |
| 摘要 |
一种清除原生氧化层的方法。首先，提供一基底，此基底具有一裸露区，且裸露区上已形成一原生氧化层。接着，以三氟化氮(NF3)与氨气(NH3)作为反应气体，对基底进行清除步骤，其中三氟化氮的气体流量大于氨气的气体流量。 |
| 申请公布号 |
TWI363380 |
申请公布日期 |
2012.05.01 |
| 申请号 |
TW097121252 |
申请日期 |
2008.06.06 |
| 申请人 |
联华电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |
发明人 |
陈彦竹;蔡腾群;黄建中;刘耿仁 |
| 分类号 |
H01L21/30 |
主分类号 |
H01L21/30 |
| 代理机构 |
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代理人 |
戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3;吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |
