用于低介电常数材料且包含非原位移除背侧聚合物之电浆介电蚀刻制程

摘要

一种利用光阻剂罩幕来蚀刻一多孔碳掺杂氧化矽介电层之电浆蚀刻制程系首先被实施于一蚀刻室中，其系藉由执行一氟碳基底蚀刻制程于工件上以蚀刻介电层之暴露部分，同时沉积保护性氟碳聚合物于光阻剂罩幕上。接着，在一灰化室中，藉由加热工件至超过100℃以移除聚合物与光阻剂；暴露该工件之背侧之周围部分；以及从一氢制程气体之电浆提供多种产物，以将该工件上之聚合物与光阻剂还原，直到聚合物已经从该工件之背侧移除。制程气体较佳地包含氢气与水蒸气两者，虽然主要的构成物为氢气。可以藉由延伸多个晶圆举升梢来暴露出晶圆(工件)背侧。