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经营范围
发明名称
在较少低K介电材料损害下移除遮罩材料的方法
摘要
本发明提供一种自具有暴露的低介电常数(k)材料之基材移除遮罩材料且同时使对低k材料的暴露表面之破坏最小化的方法。在一个实施例中,一种自基材移除遮罩材料的方法包括:提供具有低k材料和待移除的遮罩材料之基材;在第一时间期间将遮罩材料暴露于由还原性化学物质形成的第一电浆中;以及在第二时间期间将遮罩材料暴露于由氧化性化学物质形成的第二电浆中。可以根据需要而重复该些步骤以及可采用相反顺序执行该些步骤。可选地,氧化性化学物质中可加入至少一稀释气体。
申请公布号
TWI363255
申请公布日期
2012.05.01
申请号
TW096112373
申请日期
2007.04.09
申请人
应用材料股份有限公司 美国
发明人
黄智林;李思义;赵清军
分类号
G03F7/42
主分类号
G03F7/42
代理机构
代理人
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址
美国
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