用于记忆体单元形成之原位表面处理

摘要

揭示一种用于在导电层上形成被动层的系统及方法，可在有机记忆体单元的制造期间完成，大体可减少知无机记忆体元件的固有缺点。该被动层包含导电促进化合物，例如硫化铜(Cu2S)，其系由导电材料的上部产生。该导电材料可作为记忆体单元中之下层电极，且可经由用从氟(F)基底气体产生的电浆处理将该导电材料的上部转化为被动层。