Vorrichtung zur Charakterisierung von Materialparametern an Halbleitergrenzflächen mittels THz-Strahlung

摘要

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Charakterisierung der energetischen Wirkung, die ein erstes Material eines Verbundsystems, insbesondere eines Halbleiterschichtsystems, von zwei unterschiedlichen Materialien im Bereich der Materialgrenzfläche zwischen den beiden Materialien auf das zweite Material des Verbundsystems ausübt, auf Basis von im Bereich der Materialgrenzfläche emittierter THz-Strahlung.