发明名称 RESIST PATTERN IMPROVING MATERIAL, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 To provide a resist matter improving material containing C4-11 linear alkanediol, and water.
申请公布号 US2012100488(A1) 申请公布日期 2012.04.26
申请号 US201113180784 申请日期 2011.07.12
申请人 KOZAWA MIWA;NOZAKI KOJI;FUJITSU LIMITED 发明人 KOZAWA MIWA;NOZAKI KOJI
分类号 G03F7/38;C08K5/053;C09D7/12 主分类号 G03F7/38
代理机构 代理人
主权项
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