Verfahren zur Erzeugung eines Leistungstransistors und damit erzeugbare integrierte Schaltungsanordnung

摘要

Verfahren zur Erzeugung eines Leistungstransistors in einem Halbleiterkörper (1), der aufweist: – ein n-dotiertes Substrat (4), – eine auf dem n-dotierten Substrat (4) angeordnete n-dotierte, als Epitaxieschicht ausgebildete Halbleiterschicht (5), die eine geringere Dotierungskonzentration als das Substrat (4) hat und zusammen mit diesem eine Driftstrecke (12) des Leistungstransistors bildet, und – ein p-dotiertes Gebiet (7), das innerhalb des oberen Bereichs der n-dotierten Halbleiterschicht (5) ausgebildet ist, – einen das p-dotierte Gebiet (7) durchsetzenden und innerhalb der n-dotierten Halbleiterschicht (5) endenden Trench (8), der eine Gateelektrode (10) enthält, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: – Bestrahlen wenigstens eines Teils der Vorderseite des Halbleiterkörpers (1) mit Protonen, wobei ein durch das Bestrahlen erzeugtes Dotiermaximum in der n-dotierten Halbleiterschicht (5) flacher ist als die Eindringtiefe des Trenches (8) in diese, und – Tempern des Halbleiterkörpers (1) mit einer Temperatur zwischen 450°C und 550°C, wobei sich in der...