Halbleiterbauelement mit einer Kupferlegierung als Barrierenschicht in einer Kupfermetallisierungsschicht und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Verfahren mit: Bilden eines kupferenthaltenden Metallgebiets (203) in einem dielektrischen Material einer Metallisierungsschicht (207) eines Halbleiterbauelements (200), wobei das kupferenthaltende Metallgebiet (203) eine freiliegende Oberfläche (203A) aufweist, die einer oxidierenden Umgebung (204) ausgesetzt wird, wobei die Prozessparameter so eingestellt werden, dass eine Kupferoxidschicht (203B) mit einer vorgegebenen Dicke gebildet wird; und Aussetzen der freiliegenden oxidierten Oberfläche der Einwirkung einer gasförmigen Umgebung (204) zum Umwandeln der oxidierten Oberfläche in eine zinn- und nickelenthaltende Kupferlegierung (203C).