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发明名称
摘要 A group III-V material device has a delta-doped region below a channel region. This may improve the performance of the device by reducing the distance between the gate and the channel region.
申请公布号 JP2012510172(A) 申请公布日期 2012.04.26
申请号 JP20110537748 申请日期 2009.12.02
申请人 发明人
分类号 H01L21/338;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/812 主分类号 H01L21/338
代理机构 代理人
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