发明名称 Lichtemittierende Diode in Kopfabstrahlungs- und Seitenabstrahlungsbauart
摘要 Lichtemittierende Diode (300, 400, 500), umfassend: ein Substrat (310, 410, 510) mit einer Oberseite und einer Rückfläche, sowie einer ersten und einer zweiten Seitenfläche; einen ersten und einen zweiten Anschluss (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c), die auf der Oberseite auf dem Substrat (310, 410, 510) so ausgebildet sind, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind; und einen lichtemittierenden Diodenchip (340, 440a, 440b, 440c, 540a, 540b, 540c), der auf der Oberseite auf irgendeinem des ersten und zweiten Anschlusses (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c) angebracht ist; wobei der erste und zweite Anschluss (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c) so ausgebildet sind, dass sie auf derselben ersten Seitenfläche und der Rückfläche des Substrats (310, 410, 510) verlaufen und der erste und...
申请公布号 DE112006003435(B4) 申请公布日期 2012.04.26
申请号 DE20061103435T 申请日期 2006.12.15
申请人 SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. 发明人 RYU, SEUNG RYEOL;CHO, JAE HO;KANG, SEOK JIN
分类号 H01L33/62;H01L33/48;H01L33/64 主分类号 H01L33/62
代理机构 代理人
主权项
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