实现高性能金属-氧化物-金属的制作方法

摘要

本发明实现高性能金属-氧化物-金属的制造方法解决了现有技术中金属-氧化物-金属区域与金属互联线区域均填充低K材料造成的金属-氧化物-金属区域无法实现高电容的问题，利用对第一介电层薄膜进行选择性的光刻蚀刻来定义金属-氧化物-金属（mental-oxide-mental，简称MOM）区域，在MOM区域填充高介电常数（高k）薄膜，来实现高性能MOM电容。通过这种方法，实现了在同一薄膜层既有高k材料又有低k材料。传统互连的区域为低k材料，高k材料区域做MOM，可以实现高电容，减少芯片使用面积，提高点穴性能。

主权项

一种实现高性能金属‑氧化物‑金属的制造方法，其特征在于，步骤a：在以衬底上依次淀积一刻蚀阻挡层和一第一介电层；步骤b：在第一介电层上旋涂光刻胶，光刻形成金属‑氧化物‑金属区域的图形；步骤c：刻蚀形成金属‑氧化物‑金属区域沟槽，使所述金属‑氧化物‑金属区域沟槽止于所述刻蚀阻挡层，并去除光刻胶；步骤d：在第一介电层上淀积第二介电层，使所述第二介电层填满所述金属‑氧化物‑金属区域沟槽；步骤e：进行化学机械研磨平坦化，保留金属‑氧化物‑金属区域沟槽内的第二介电层，将其与部分的第二介电层清除；步骤f：通过光刻和刻蚀在第一介电层上形成金属互连线沟槽，并同时在第二介电层上形成金属‑氧化物‑金属沟槽；步骤g：在金属互联线沟槽以及金属‑氧化物‑金属沟槽内同时进行铜扩散阻挡层的淀积，之后进行电镀铜工艺和化学机械研磨。