一种缝隙填充的处理方法和浅沟道隔离槽的制作方法

摘要

本发明公开了一种缝隙填充的处理方法，用于在带有缝隙的半导体衬底上形成薄膜并完全填充该缝隙，包括：使用高密度等离子体化学气相沉积的方法进行填隙；使用三氟化氮对所述缝隙边角处沉积的悬突进行刻蚀；通入氢气进行氢钝化处理后，通入氧气与所述氢钝化处理后残留的氢气反应，并排出反应腔中的全部气体，返回执行所述填隙操作直到完成对所述缝隙的填充。本发明实施例提供的这种缝隙填充的处理方法，在进行氢钝化处理后通入氧气，能够去除反应腔中残余的氢气，从而避免了氢气被引入生成的薄膜中，从而能够避免各种因H2而产生的性能降低，提高薄膜性能。本发明还同时公开了一种浅沟道隔离槽的制作方法，能够提高隔离槽薄膜的性能。

主权项

一种缝隙填充的处理方法，用于在带有缝隙的半导体衬底上形成薄膜并完全填充该缝隙，其中包括：使用高密度等离子体化学气相沉积的方法进行填隙；使用三氟化氮对所述缝隙的边角处沉积的悬突进行刻蚀；通入氢气进行氢钝化处理后，返回执行所述填隙操作直到完成对所述缝隙的填充；其特征在于，该方法在所述通入氢气进行氢钝化处理后，返回执行所述填隙操作之前还包括：通入氧气与所述氢钝化处理后残留的氢气反应，并排出反应腔中的全部气体。