一种降低砷化镓同位素电池暗电流的方法

摘要

本发明涉及一种降低砷化镓同位素电池暗电流的方法，属于微机电系统中的能源领域。本发明的方法首先在砷化镓同位素微电池上刻蚀隔离槽作为电池耗尽区，采用PECVD技术对隔离槽蒸渡SiO2钝化层，电池边缘钝化层要能覆盖电池耗尽区；然后加工同位素微电池导电电极，采用PECVD技术在电池表层蒸渡SiO2钝化层；最后在砷化镓同位素微电池隔离槽中心位置进行刻蚀辅助电极槽，加工辅助电极。本发明的方法操作简单，成本低，工艺稳定，通过半导体的钝化，以及利用辅助电极结构形成肖特基势垒，有效降低砷化镓同位素微电池的暗电流，进而增大开路电压，提高输出效率。本发明的方法也适用于具有类似钝化思路的其它同位素电池。

主权项

一种降低砷化镓同位素微电池的暗电流的方法，其特征在于具体步骤如下：1)按要求在砷化镓同位素微电池上刻蚀隔离槽，采用PECVD技术对隔离槽蒸镀SiO2钝化层，隔离槽内的钝化层要能覆盖电池耗尽区；2)对第1)步所得到的砷化镓同位素微电池表面加工导电电极，采用PECVD技术在电池表层蒸镀SiO2钝化层；3)在第2)步所得到的砷化镓同位素微电池隔离槽中心位置进行刻蚀辅助电极槽，然后加工辅助电极，形成肖特基势垒；其中，电池辅助电极的材料为功函数大于4eV的金属。