具有PN结的纳米须及其制造方法

摘要

本发明公开了一种纳米工程结构，其包括具有高迁移率导电性的纳米须，并且包括pn结。在一个实施例中，由第一半导体材料构成的纳米须具有第一带隙，并包括至少一种具有第二带隙的第二材料的外壳，该外壳沿着至少部分所述纳米元件长度密封该纳米元件，掺杂所述第二材料，从而在沿着该纳米须长度的第一和第二区域中分别提供相反导电性类型的载荷子，从而在所述纳米元件中通过将载荷子传送到所述纳米元件中而生成由相反导电性类型载荷子形成的相应第一和第二区域，在这两个区域之间具有自由载流子耗尽区。在另一实施例中，纳米须被包含掺杂剂材料的聚合物材料包围。在又一实施例中，纳米须在两种不同本征材料之间具有异质结，并且费米能级钉扎在未掺杂的界面处生成了pn结。

主权项

一种纳米工程结构，其包括：第一晶体半导体材料的纳米须(74)，外壳，包括第二晶体半导体材料的大块半导体区域(76)，该外壳沿着所述纳米须(74)的至少部分长度包围所述纳米须(74)并且与其相接触，从而在所述纳米须(74)和所述大块半导体区域(76)之间形成异质结，且其中选择所述第一和第二晶体半导体材料使得在该异质结的相反两侧提供相反导电性类型的载荷子，从而生成pn结。