基于底部源极场效应管的真实芯片级封装功率场效应管

摘要

一种半导体封装包含一半导体衬底、一个带有形成在衬底上的多个单元的场效应管器件、一个和设置在衬底底面上的所有单元共用的源极区。每个单元包含一在半导体器件顶面上的漏极区、一用于控制源极和漏极区之间电流流量的栅极、一邻近栅极的源极接触点，以及源极接触点和源极区之间的电接触。至少一个漏极接触点电耦合到漏极区域上。源极垫、漏极垫和栅极垫分别电连接到器件的源极区、漏极区和栅极。漏极垫、源极垫和栅极垫形成在半导体封装的一个表面上。单元通过衬底分布，每个器件的源极接触点和源极区之间的电连接分布也通过衬底。本发明允许在晶片等级上进行处理，降低成本和缩小独立器件的尺度，并使接触点遍及晶粒，降低电子干扰和阻抗。

主权项

一种半导体芯片级封装，其特征在于，包含：一个半导体衬底；一个半导体器件包含一个分立的金属氧化物半导体场效应管，具有多个形成在该半导体衬底一有源区中的单元；一个设置在全部单元共用的衬底底部的源极区域，其中每个单元都包含：一个设置在半导体器件顶部的漏极区域；一个栅极，用于当栅极外加电压时，控制源极区域和漏极区域之间的电流；一个位于栅极附近的源极接触点；一个通过衬底在源极接触点和源极区域之间形成的电接触；至少一个漏极垫电耦合到漏极区域；至少一个源极垫电连接到源极区域，其中源极垫向衬底施加偏置；至少一个栅极垫电耦合到栅极上；一个漏极金属覆盖整个有源区；一个连接到源极垫上的嵌入式本体‑源极短接结构，其中这个嵌入式本体‑源极短接结构位于漏极金属下方；其中漏极垫、源极垫和栅极垫都形成在半导体器件的一个表面上；其中所述多个单元沿衬底分布，因此每个半导体器件的源极接触点和源极区域之间形成的电连接也沿衬底分布；其中漏极垫形成在半导体封装的有源区上；其中源极垫和栅极垫形成在有源区外面的半导体封装的终止区上。