| 发明名称 | 一种降低金属氧化物半导体管栅极寄生电阻的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种降低金属氧化物半导体MOS管栅极寄生电阻的方法，以提高MOS管的开关速度。该方法包括：在金属氧化物半导体MOS管的源区层形成光刻版，所述光刻版设置有栅极引线孔区与源区对应的光刻窗口；对所述光刻版进行光刻处理并得到栅极引线孔区与源区对应的光刻区域；对所述栅极引线孔区与源区的光刻区域进行杂质注入处理；对所述MOS管进行介质层淀积处理，形成介质层；对所述介质层进行引线孔光刻处理，形成栅极引线孔；在所述形成有所述栅极引线孔的MOS管中生成栅极金属层。采用本发明技术方案，降低了MOS管的栅极寄生电阻，提高了MOS管的开关速度。 | ||
| 申请公布号 | CN102110610B | 申请公布日期 | 2012.04.25 |
| 申请号 | CN200910244019.X | 申请日期 | 2009.12.25 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 方绍明;王新强;张立荣 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 郭润湘 |
| 主权项 | 一种降低金属氧化物半导体管栅极寄生电阻的方法，其特征在于，包括：在金属氧化物半导体MOS管的源区层形成光刻版，所述光刻版设置有栅极引线孔区与源区对应的光刻窗口；对所述光刻版进行光刻处理并得到栅极引线孔区与源区对应的光刻区域；对所述栅极引线孔区与源区的光刻区域进行杂质注入处理；对所述MOS管进行介质层淀积处理，形成介质层；对所述介质层进行引线孔光刻处理，形成栅极引线孔；在形成有所述栅极引线孔的所述MOS管中生成栅极金属层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||