多孔低介电常数介质干法刻蚀速率过慢的解决方法

摘要

本发明多孔低介电常数介质干法刻蚀速率过慢的解决方法解决了现有技术中采用CxFy气体对多孔低介电常数材料进行刻蚀，导致刻蚀速率较慢以及产生的聚合物难以全部清除的问题，选用较CxFy更为清洁的SF6气体作为主要刻蚀气体，以克服聚合物污染问题，而对于因多孔低k值介质的不良导电性质而带来的刻蚀速率缓慢问题，则采取添加注入Ar之类的正电性气体调整等离子体的电离程度加以抑制。

主权项

一种多孔低介电常数介质干法刻蚀速率过慢的解决方法，其特征在于，在一刻蚀设备内通过SF6气体与正电性气体组成的混合气体对多孔低介电常数介质进行刻蚀。