| 发明名称 | 纳米结构化金属氧化物或半导体型材料的膜或晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种纳米结构化材料的膜(2)的方法，其包括如下步骤：将所述材料的膜(2)浸没在水溶液(3)中，其中，向所述膜(2)的至少一个面上应用包括照亮区域(6b)和黑暗区域(6a)的干涉图形(6)。根据本发明的方法，所述材料为半导体无机材料或氧化物，其在光的吸收的作用下能够溶解在水溶液中。通过在干涉图形(6)的照亮区域(6a)中的光溶解和/或在黑暗区域(6b)中的生长，在与水溶液(3)接触的表面上实现了膜(2)的纳米结构化。本发明还涉及根据这样的制备方法得到的纳米结构化涂膜(5)和纳米结构化3D膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102428215A | 申请公布日期 | 2012.04.25 |
| 申请号 | CN201080021194.3 | 申请日期 | 2010.05.12 |
| 申请人 | 特鲁瓦技术大学 | 发明人 | 吉勒·勒龙代尔;洛朗·迪韦 |
| 分类号 | C30B7/00(2006.01)I;C30B19/10(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C30B29/60(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 朱梅;张皓 |
| 主权项 | 一种纳米结构化材料的膜(2)的方法，其包括如下步骤：将所述材料的膜(2)浸没在水溶液(3)中，其中，向所述膜(2)的至少一个面上应用包括照亮区域(6b)和黑暗区域(6a)的干涉图形(6)，所述方法的特征在于：‑所述材料为半导体无机材料或氧化物，其在光的吸收作用下能够溶解在水溶液中，以及‑通过在所述干涉图形(6)的照亮区域(6a)中的光溶解和/或在所述干涉图形(6)的黑暗区域中的生长，在与水溶液(3)接触的膜(2)的表面上发生材料的膜或晶片(2)的纳米结构化。 | ||
| 地址 | 法国特鲁瓦 | ||