一种无电容动态随机存储单元及其制作方法与存储方法

摘要

本发明提供一种无电容动态随机存储单元及其制作方法与存储方法，所述存储单元采用两个金属-氧化物-半导体场效应管组合，其中一个具有P型掺杂源区的场效应管作为电荷的提供者和存储者，另一个场效应管则作为存储状态的感知者。本发明的存储单元具有快读读写、长保持时间和高可靠性的特点，制作工艺简单与常规SOICMOS工艺兼容。

主权项

一种无电容动态随机存储单元的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：步骤一，提供一具有顶层硅、埋氧层和背衬底的SOI衬底，在所述顶硅层上制作第一隔离槽以隔离出第一有源区，并在所述顶硅层上制作第二隔离槽以隔离出第二有源区，然后对所述第一、第二有源区进行第一次P型掺杂形成第一P型体区与第二P型体区，然后在所述第一P型体区上制作第一栅电极，并在所述第二P型体区上制作第二栅电极；步骤二，对所述第一栅电极两侧的第一P型体区以及第二栅电极一侧的第二P型体区进行第一次N型掺杂，以在所述第一P型体区形成第一源、漏极延伸区，同时在所述第二P型体区形成第二源极延伸区；步骤三，在所述第一栅电极周侧制作第一隔离侧墙，使所述第一隔离侧墙覆盖所述第一源、漏极延伸区的部分表面，并在所述第二栅电极周侧制作第二隔离侧墙，使所述第二隔离侧墙覆盖所述第二源极延伸区的部分表面，然后对所述第一隔离侧墙两侧的第一源、漏极延伸区以及所述第二隔离侧墙一侧的第二P型体区进行第二次N型掺杂以在所述第一源、漏极延伸区下方形成第一N型源、漏区，并同时在所述第二P型体区形成第二N型漏区，接着对所述第二隔离侧墙另一侧的第二源极延伸区进行第二次P型掺杂以在所述第二源极延伸区下方形成第二P型源区；步骤四，在所述第一源、漏极延伸区、所述第二源极延伸区与第二N型漏区表面制作硅化物层，并使其与所述第一N型源、漏区、第二P型源区及第二N型漏区形成欧姆接触以形成第一源、漏电极与第二源、漏电极，以制备出第一晶体管与第二晶体管；步骤五，连接所述第二晶体管的第二源极和第一晶体管的第一栅电极，并在所述第二晶体管的第二漏电极制作位线、在所述第二栅电极制作字线，并在所述第一晶体管的第一源电极制作接地线、在所述第一漏电极制作感知线，以完成存储单元的制作。