发明名称 电子组件之抗硫化构造
摘要 一种电子组件之抗硫化构造,系于一基板的底面两端分别设有背面电极,基板的上方两端分别被覆一导电层,于两导电层之间设有一功能组件,该功能组件的上方被覆第一保护层;复于两导电层的局部表面上方各设置一抗硫层,以及,设有可将功能组件和局部抗硫层覆盖之第二保护层;藉此构成强化电子组件之抗硫作用。
申请公布号 CN202205728U 申请公布日期 2012.04.25
申请号 CN201120231173.6 申请日期 2011.06.30
申请人 大毅科技股份有限公司 发明人 江财宝;曹茂松
分类号 H01L23/12(2006.01)I 主分类号 H01L23/12(2006.01)I
代理机构 北京维澳专利代理有限公司 11252 代理人 尚世浩
主权项 一种电子组件之抗硫化构造,其特征在于:包括有一基板,基板的底面两端分别设有一背面电极,基板的上方表面两端分别被覆一导电层及侧电极保护层,两导电层之间设有一迭于导电层上端之电子功能组件;复设有二抗硫层,分别盖覆至二导电层之局部上方;并且,设有一可将电子功能组件,以及将电子功能组件和抗硫层相接触界面完全覆盖之保护层。
地址 中国台湾桃园县芦竹乡南山路二段470巷26号