制备Cr掺杂β-FeSi₂薄膜的工艺方法

摘要

本发明公开了一种磁控溅射方法制备Cr掺杂β-FeSi2薄膜的工艺方法。它包括以下过程：第一，清洗Si片；第二，采用磁控溅射方法，在Si片衬底上沉积Cr/Fe或Fe/Cr双层膜，或Fe/Cr/Fe多层膜，通过控制各层溅射速率和膜层厚度来控制Cr的含量，使Cr取代Fe含量在1％-5％之间；第三，将磁控溅射沉积的Cr/Fe或Fe/Cr双层膜，或Fe/Cr/Fe多层膜，在真空退火炉中退火，获得Cr掺杂的β-FeSi2 薄膜。XRD测量表明掺杂不改变β-FeSi2的晶体结构。

主权项

一种制备Cr掺杂β‑FeSi2薄膜的工艺方法，其特征在于：它包括以下过程：第一，清洗Si片；第二，采用磁控溅射方法，在Si片衬底上沉积Cr/Fe或Fe/Cr双层膜，或Fe/Cr/Fe多层膜，通过控制各层溅射速率和膜层厚度来控制Cr的含量，使Cr取代Fe含量在1％‑5％之间；第三，将磁控溅射沉积的Cr/Fe或Fe/Cr双层膜，或Fe/Cr/Fe多层膜，在真空退火炉中退火，温度升至870‑910℃，保温12‑60小时，然后自然冷却至室温，获得Cr掺杂的β‑FeSi2薄膜。