发明名称 电流控制元件、存储元件、存储装置及电流控制元件的制造方法
摘要 一种电流控制元件,在被施加极性不同的电脉冲时也能够防止写入干扰的产生,而且能够在电阻变化元件流过大电流。该电流控制元件具有第1电极(32)、第2电极(31)、电流控制层(33),电流控制层(33)由SiNx(0<x≤0.85)构成,并且含有氢或者氟,而且在设氢或者氟的浓度为D(=D0×1022atoms/cm3)、设电流控制层(33)的膜厚为d(nm)、设能够在第1电极(32)和第2电极(31)之间施加的电压的最大值为V0(V)时,D和x和d和V0满足(ln(10000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2≤V0、(ln(1000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2-(ln(10000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2/2≥0,其中,C=k1×D0k2、α、β、γ、k1和k2是常数。
申请公布号 CN102428587A 申请公布日期 2012.04.25
申请号 CN201180002096.X 申请日期 2011.03.10
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 早川幸夫;有田浩二;三河巧;二宫健生
分类号 H01L49/02(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I 主分类号 H01L49/02(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 徐殿军
主权项 一种电流控制元件,用于控制在被施加了极性为正和负的电脉冲时流过的电流,所述电流控制元件具有:第1电极、第2电极、以及被夹在所述第1电极和所述第2电极之间的电流控制层,所述电流控制层由SiNx构成,并且含有氢或者氟,其中0<x≤0.85,设所述氢或者所述氟的浓度为D(=D0×1022atoms/cm3),设所述电流控制层的膜厚为d(nm),设能够在所述第1电极和所述第2电极之间施加的电压的最大值为V0(V),此时x和D和d和V0满足下式(1)、(2):(ln(10000(Cexp(αd)exp(βx))‑1)/γ)2≤V0····(1)(ln(1000(Cexp(αd)exp(βx))‑1)/γ)2‑(ln(10000(Cexp(αd)exp(βx))‑1)/γ)2/2≥0····(2)其中,C=k1×D0k2、α=‑6.25×10‑1、β=‑11.7、γ=9.76,k1和k2是常数。
地址 日本大阪府