非易失性存储器的两遍擦除

摘要

这里公开了用于擦除非易失性存储单元的技术。使用试验擦除脉冲擦除存储单元。基于试验擦除脉冲的幅度和收集的关于在试验擦除之后的阈值电压分布的数据确定第二脉冲的适当幅度。使用第二擦除脉冲擦除存储单元。在一种实现中，在第二擦除之后不验证存储单元的阈值电压。可以在第二擦除之后执行软编程。可以基于试验擦除脉冲确定软编程脉冲的幅度。在一种实现中，在软编程之后不验证存储单元的阈值电压。限制擦除脉冲和软编程脉冲的数目节省了时间和功率。确定第二擦除脉冲的适当幅度最小化或者消除了过擦除。

主权项

一种用于操作非易失性存储器件的方法，所述方法包括：使用第一擦除电压执行一组非易失性存储元件的第一擦除(804)，所述非易失性存储元件具有作为所述第一擦除的结果的阈值电压分布；确定所述阈值电压分布内的基准电压(806)；基于所述第一擦除电压和所述基准电压确定第二擦除电压(808)；以及使用所述第二擦除电压执行所述一组非易失性存储元件的第二擦除(810)。