发明名称 光半导体装置
摘要 本发明提供一种光半导体装置。一般,脊型光波导路由于光的封入不强,故与条型的光波导路相比,使光波导路弯曲时的光的波导损失变大,因此,能够降低在光波导路的弯曲部的光的波导损失。该光半导体装置包括:半导体区域(16);光波导路(21),其被夹在所述半导体区域(16)内形成的第一光封入层(12)和第二光封入层(14)之间;绝缘膜区域(22),其相对于所述光波导路(21)的弯曲部的曲率半径方向、在该弯曲部的外侧及内侧的至少一侧上的所述半导体区域(16)形成。
申请公布号 CN101158731B 申请公布日期 2012.04.25
申请号 CN200710153201.5 申请日期 2007.09.29
申请人 索尼株式会社 发明人 木岛公一朗
分类号 G02B6/10(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I 主分类号 G02B6/10(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 马高平
主权项 一种光半导体装置,其包括:半导体区域;光波导路,其被夹在所述半导体区域内形成的第一光封入层和第二光封入层之间;绝缘膜区域,其形成在所述光波导路的弯曲部中央部的外侧及内侧的至少一侧上的所述半导体区域,并且由比半导体层低的折射率的绝缘膜形成。
地址 日本东京都