一种硅纳米线的制备方法

摘要

本发明提供一种硅纳米线的制备方法，包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅衬底、位于底硅衬底上的埋氧化层以及位于埋氧化层上的顶硅膜；在顶硅膜上形成氮化硅层；利用第一掩模板光刻定义有源区，刻蚀去除有源区以外的氮化硅层；以有源区的氮化硅层为掩模，刻蚀去除有源区以外的顶硅膜，同时，使得有源区的顶硅膜的侧壁呈斜坡状；对有源区的顶硅膜进行氧化工艺，在有源区的顶硅膜的侧壁形成侧壁氧化层；刻蚀去除有源区的氮化硅层；利用第二掩模板光刻定义硅纳米线支撑区域，在侧壁氧化层的保护下，刻蚀有源区的顶硅膜，形成截面为三角形的硅纳米线；刻蚀去除侧壁氧化层及部分埋氧化层，使得硅纳米线悬空。该工艺制备方法简单、可控，生产成本低廉。

主权项

一种硅纳米线的制备方法，其特征在于，包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅衬底、位于所述底硅衬底上的埋氧化层以及位于所述埋氧化层上的顶硅膜；在所述顶硅膜上形成氮化硅层；利用第一掩模板光刻定义有源区，刻蚀去除所述有源区以外的氮化硅层；以所述有源区的氮化硅层为掩模，刻蚀去除所述有源区以外的顶硅膜，同时，使得所述有源区的顶硅膜的侧壁呈斜坡状；对所述有源区的顶硅膜进行氧化工艺，在所述有源区的顶硅膜的侧壁形成侧壁氧化层；刻蚀去除所述有源区的氮化硅层；利用第二掩模板光刻定义硅纳米线支撑区域，在所述侧壁氧化层的保护下，刻蚀所述有源区的顶硅膜，形成截面为三角形的硅纳米线；刻蚀去除所述侧壁氧化层及部分所述埋氧化层，使得所述硅纳米线悬空。