CMOS一次性可编程只读存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种CMOS一次性可编程只读存储器及其制造方法，存储器包括控制管和存储管，制造方法包括步骤：提供P型硅衬底，其中形成有N阱；在N阱的两侧形成局部氧化隔离，以及在P型硅衬底上、N阱的上表面形成控制管和存储管的栅极氧化层、栅极和轻掺杂漏；在存储器的表面依次淀积二氧化硅层和氮化硅层；采用干法刻蚀法刻蚀二氧化硅层和氮化硅层，在栅极两侧分别形成肩型侧墙；对存储器进行后续源/漏注入工艺。本发明经过侧墙与硅化物阻挡层(SBK)工艺优化的OTP ROM性能良好，可靠性特别是电荷的保持时间性能得到很大的改善且工艺稳定可靠。

主权项

一种CMOS一次性可编程只读存储器(200)的制造方法，所述存储器(200)包括控制管(201)和存储管(202)，所述制造方法包括步骤：提供P型硅衬底(203)，其中形成有N阱(204)；在所述N阱(204)的两侧形成局部氧化隔离(205)，以及在所述P型硅衬底(203)上、所述N阱(204)的上表面形成所述控制管(201)和所述存储管(202)的栅极氧化层(206、207)、栅极(208、209)和轻掺杂漏(211、212、213)；在所述存储器(200)的表面依次淀积二氧化硅层(214)和氮化硅层(215)；采用干法刻蚀法刻蚀所述二氧化硅层(214)和所述氮化硅层(215)，在所述栅极(208、209)两侧分别形成肩型侧墙(216)；以及对所述存储器(200)进行后续源/漏注入工艺。