用于降低阻挡层和铜布线之间的界面氧化接触的方法和系统

摘要

本发明涉及半导体器件布线的方法和系统。本发明的一方面是将铜层沉积到阻挡层上以便在其间产生基本上不含氧的分界面的方法。在一个实施例中，该方法包括提供基本上没有氧化物的阻挡层表面。该方法还包括在该没有氧化物的阻挡层表面上沉积一定量的原子层沉积(ALD)铜，其有效防止该阻挡层的氧化。该方法进一步包括在该ALD铜上方沉积填隙铜层。本发明的另一方面是将铜层沉积到阻挡层上以便在其间产生基本上不含氧的分界面的系统。在一个实施例中，该集成系统包括至少一个阻挡层沉积模块。该系统还包括ALD铜沉积模块，配置为通过原子层沉积来沉积铜。该系统进一步包括铜填隙模块和至少一个连接至该至少一个阻挡层沉积模块和该ALD铜沉积模块的传送模块。该传送模块配置为该基片可在这些该模块传递而基本上不暴露于氧化物形成环境。

主权项

一种制造具有铜布线和过渡金属阻挡层或过渡金属化合物阻挡层的半导体器件以在该阻挡层和该铜布线之间产生基本上不含氧的分界面的方法，该方法包括：(a)提供阻挡层表面，在含氢等离子中处理该阻挡层以提供基本上没有氧化物的阻挡层表面；(b)在该没有氧化物的阻挡层表面上沉积一定量的纯原子层沉积(ALD)铜，其有效防止该阻挡层的氧化；以及(c)在该量的铜上电镀填隙铜层。