等离子体约束装置及等离子体处理装置

摘要

本发明公开了一种等离子体约束装置及等离子体处理装置，等离子体约束装置为空心柱状，侧壁上设有多个通孔，通孔的深度大于等离子体中带电粒子的平均自由程，通孔为圆孔或长条形孔。等离子体约束装置设于等离子体处理装置的上电极与下电极之间，并可以上下移动。当进行传片时，等离子约束装置升起；当传片结束时，等离子体约束装置降到合适位置，准备开始工艺。可以有效地把等离子体约束在上、下电极之间的工艺区域，减少反应室的颗粒污染以及延长非工艺区域部件的使用寿命。

主权项

一种等离子体处理装置，包括反应室、上电极、下电极，其特征在于，所述的上电极与下电极之间设有等离子体约束装置，所述等离子体约束装置为空心柱状，包括侧壁，所述侧壁上设有多个通孔，所述通孔的深度大于等离子体中带电粒子的平均自由程；所述等离子体约束装置的内部为等离子体处理区，外部为反应室排气区，且所述的等离子体约束装置能够上下移动；当进行传片时，所述等离子约束装置升起；当传片结束时，所述等离子体约束装置降下。