发明名称 |
具有调制掺杂分布布拉格反射层的发光二极管 |
摘要 |
本发明公开一种具有调制掺杂分布布拉格反射层的发光二极管,提供一衬底,在衬底的下表面具有第一电极,在衬底的上表面依次有分布布拉格反射层、第一型外延层、有源层、第二型外延层、电流扩展层,第二电极形成于电流扩展层之上,分布布拉格反射层由两种不同材料组成,在分布布拉格反射层的两种不同材料中掺入掺杂源,并在两种材料的界面处采用Delta掺杂。本发明因为分布布拉格反射层具有调制掺杂结构,可以有效降低发光二极管的正向工作电压,减少光吸收,提高发光二极管的效率。 |
申请公布号 |
CN102427105A |
申请公布日期 |
2012.04.25 |
申请号 |
CN201110352193.3 |
申请日期 |
2011.11.09 |
申请人 |
厦门乾照光电股份有限公司 |
发明人 |
陈凯轩;张双翔;蔡建九;林志伟;林志园 |
分类号 |
H01L33/10(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/10(2010.01)I |
代理机构 |
厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 |
代理人 |
李宁;唐绍烈 |
主权项 |
具有调制掺杂分布布拉格反射层的发光二极管,其特征在于:提供一衬底,在衬底的下表面具有第一电极,在衬底的上表面依次有分布布拉格反射层、第一型外延层、有源层、第二型外延层、电流扩展层,第二电极形成于电流扩展层之上,分布布拉格反射层由两种不同材料组成,在分布布拉格反射层的两种不同材料中掺入掺杂源,在两种材料的界面处采用Delta掺杂。 |
地址 |
361000 福建省厦门市火炬(翔安)产业区翔岳路19号 |