| 发明名称 | 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 | ||
| 摘要 | 一种低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法，该方法包括：取一衬底，在衬底上生长一器件外延层；对器件外延层进行表面清洗；采用腐蚀剂将器件外延层表面的氧化物去除；光刻，将光刻板上的图形转移到器件外延层上；在器件外延层的表面生长透明电极层；剥离、退火，使透明电极层发生反应，在透明电极层的表面形成高阻层；将发生反应的透明电极层表面的高阻层去除；在透明电极层的表面依次生长连接层和电极加厚层。 | ||
| 申请公布号 | CN101840964B | 申请公布日期 | 2012.04.25 |
| 申请号 | CN200910080069.9 | 申请日期 | 2009.03.18 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 林孟喆;曹青;颜庭静;陈良惠 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种低阻p‑GaN欧姆接触电极制备方法，该方法包括：取一衬底，在衬底上生长一器件外延层；对器件外延层进行表面清洗；采用腐蚀剂将器件外延层表面的氧化物去除，该腐蚀剂是氟氢化氨缓冲HF酸溶液，该酸溶液的配比为1mol/L的氟氢化氨溶液与40％的HF酸溶液按体积比＝2∶1的方式配制而成；光刻，将光刻板上的图形转移到器件外延层上；在器件外延层的表面生长透明电极层；剥离、退火，使透明电极层发生反应，在透明电极层的表面形成高阻层；将发生反应的透明电极层表面的高阻层去除；在透明电极层的表面依次生长连接层和电极加厚层。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||