半导体异质结构

摘要

本发明涉及一种半导体异质结构，其包括具有第一面内晶格常数的支撑衬底、在衬底上形成的顶部具有第二面内晶格常数且处于松弛状态的缓冲结构以及在缓冲结构上形成的非渐变层的多层堆叠。本发明的目的在于提供一种上述类型的具有较小表面粗糙度的半导体异质结构。一种上述类型的异质结构实现了这一目的，其中上述的非渐变层为应变层，该应变层包括至少一个半导体材料的处于松弛状态并具有第三面内晶格常数的应变平滑层，其中该第三面内晶格常数介于第一晶格常数与第二晶格常数之间。

主权项

一种半导体异质结构，包括具有第一面内晶格常数a1的支撑衬底(1)；在支撑衬底(1)上形成的处于松弛状态的在顶部具有第二面内晶格常数a2的缓冲结构，以及在缓冲结构上形成的由非渐变层构成的多层堆叠(20、21)，其特征在于：所述的非渐变层为应变层，其中所述的应变层包括至少一个处于松弛状态并具有第三面内晶格参数a3的半导体材料的应变平滑层，其中第三面内晶格常数a3介于第一和第二晶格常数a1、a2之间，其中第一应变平滑层(5)形成在缓冲结构之上，或者形成在第一应变层(4)之上，所述第一应变层形成在缓冲结构上。