| 发明名称 | 氧化铟锡靶及制造方法和氧化铟锡透明导电膜及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了氧化铟锡(ITO)靶，其制造方法，ITO透明导电膜及其制造方法。所述ITO靶包括选自由Sm2O3和Yb2O3构成的组中的至少一种氧化物，其中所述氧化物的含量相对所述靶重量为约0.5wt％～约10wt％。 | ||
| 申请公布号 | CN101457344B | 申请公布日期 | 2012.04.25 |
| 申请号 | CN200810180006.6 | 申请日期 | 2008.11.19 |
| 申请人 | 三星康宁精密素材株式会社 | 发明人 | 具本庆;尹汉镐;朴柱玉;朴炯律;金眩秀;崔成龙;崔仲烈;宋礼根;朴峻弘 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 徐江华;王珍仙 |
| 主权项 | 一种氧化铟锡靶，包括Sm2O3和Yb2O3，其中所述Sm2O3和Yb2O3的含量相对所述靶的重量为0.5wt％～10wt％，其中[Sm]/([In]+[Sm])为0.005～0.18，[Yb]/([In]+[Yb])为0.005～0.18，其中[Sm]表示每单位质量所述靶中的钐原子数，[Yb]表示每单位质量所述靶中的镱原子数，[In]表示每单位质量所述靶中的铟原子数。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||