半导体器件中的射频信号的传输结构及其形成方法

摘要

本发明的实施例提供了一种半导体器件中的射频信号的传输结构的形成方法，包括：提供绝缘体上硅衬底；形成位于部分所述绝缘体上硅衬底表面的导电层，所述导电层接地；形成覆盖所述绝缘体上硅衬底表面和导电层的互连金属层，所述互连金属层包括介质层和位于所述介质层内的金属层，且所述金属层位于所述导电层的正上方。本发明实施例的形成方法的工艺简单。相应的，本发明的实施例还提供了一种半导体器件中的射频信号的传输结构，采用所述传输结构传递射频信号，接收端接收到的射频信号的线性度好，信号的质量好。

主权项

一种半导体器件中的射频信号的传输结构的形成方法，包括：提供绝缘体上硅衬底；其特征在于，还包括：形成位于部分所述绝缘体上硅衬底表面的导电层，所述导电层接地；形成覆盖所述绝缘体上硅衬底表面和导电层的互连金属层，所述互连金属层包括介质层和位于所述介质层内的金属层，且所述金属层位于所述导电层的正上方。