| 发明名称 | 高性能肖特基二极管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高性能肖特基二极管的制造方法，包括步骤：提供半导体基底，其上依次形成有重掺杂层和轻掺杂层；在轻掺杂层上淀积绝缘层，在轻掺杂层上方开出绝缘层窗口；采用清洗溶液对露出的轻掺杂层清洗；在绝缘层和轻掺杂层上淀积第一金属层；将第一金属层与轻掺杂层作合金化，在两者之间形成合金化层；去除第一金属层；在合金化层上形成上电极；其中，清洗溶液的主要成分及质量百分比如下：磷酸65～75％，乙酸5～15％，氟硼酸1～5％以及硝酸1～5％。本发明在淀积肖特基二极管的第一金属层之前，采用特定清洗溶液对轻掺杂层清洗及轻微腐蚀，消除表面残留的颗粒、玷污及界面缺陷，使金属-半导体接触结变得更好，从而使肖特基二极管获得更加高效、稳定的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102427041A | 申请公布日期 | 2012.04.25 |
| 申请号 | CN201110371914.5 | 申请日期 | 2011.11.21 |
| 申请人 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 郑晨焱;张挺 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 一种高性能肖特基二极管的制造方法，包括步骤：提供半导体基底(1)，其上依次形成有重掺杂层(2)和轻掺杂层(3)；在所述轻掺杂层(3)上淀积绝缘层(4)，采用光刻工艺刻蚀所述绝缘层(4)，在所述轻掺杂层(3)上方开出绝缘层窗口(5)，露出所述轻掺杂层(3)；采用清洗溶液对露出的所述轻掺杂层(3)进行清洗及轻微腐蚀；在所述绝缘层(4)和所述轻掺杂层(3)上淀积第一金属层(8)；采用退火工艺将所述第一金属层(8)与所述轻掺杂层(3)作合金化工艺，在所述第一金属层(8)与所述轻掺杂层(3)之间形成合金化层(9、10)；去除所述第一金属层(8)；在所述合金化层(9、10)上形成与之相接触的上电极(11、13)；其中，所述清洗溶液的主要成分及其质量百分比如下：磷酸65～75％，乙酸5～15％，氟硼酸1～5％以及硝酸1～5％。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路385号 | ||