用于MOCVD反应腔中反应气体输送与均匀分布控制的装置

摘要

一种垂直式MOCVD反应腔中反应气体输送与均匀分布控制的装置，分别通过前置匀气板的径向上疏密分布的气体通道和不同位置上输入通道的流量控制，分别使至少两种反应气体引入喷淋头上径向、轴向交叉分布的两路、可设置不同形状的喷口进行二次分配，实现在旋转的外延片表面获得所需均匀分布的边界层浓度、速度和温度，提高大规模生产的外延薄膜的质量和外延片的成品率，而且能有效控制昂贵反应气体的消耗，降低外延生产的成本。通过适当增加喷淋头表面与外延片间的距离，减少外延生长中在喷淋头表面和喷口处产生的沉积物，延长清洗周期，提高了生产效率和系统产能。该装置还可降低喷淋头的喷口及冷却介质通道的加工难度和制造成本。

主权项

一种用于MOCVD反应腔中反应气体输送与均匀分布控制的装置，置于反应腔(50)的顶部，反应腔盖(51)之下，用于使至少两种反应气体分别输送至托盘(53)上的若干外延片(531)上方混合进行外延反应或薄膜沉积，其特征在于，该装置包含：前置匀气板(10)，以及设置在前置匀气板(10)下方的喷淋头(20)；所述反应腔盖(51)设为若干区域，对应每个区域设置有若干气体输入通道(511、521、522)；所述前置匀气板(10)上开设有若干气体通道(11)，对从输入通道(511)引入的至少第一反应气体进行流量分布的控制后，输送至所述喷淋头(20)；所述至少第二反应气体经由所述反应腔盖(51)上不同区域的输入通道(521、522)，分别输送至所述喷淋头(20)的不同区域的气路分配通道；所述喷淋头(20)上设置有若干喷口(21、22)分别对应所述第一、第二反应气体进行流量分配，使所述第一、第二反应气体被独立且均匀地输送至所述外延片(531)上方。